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IT之家 12 月 16 日消息,福特汽车公司宣布取消全电动 F-150 Lightning 车型,并将计提 195 亿美元的资产减记,以加速重组其电动化战略。 这一决定对这家底特律车企而言是一次重大打击,该公司曾是推动向电动汽车转型最为🏹积极的企业之一。 此次🙌公告并非毫无征兆🍼。 此前已有诸多迹象表明,福特在电动汽车业务上持续🍆亏损。 尽管 F-150 Lightning 在市场中取得了显著成功,但公司现已决定将资源转向其他更具盈利潜力的领域。 福特将全面调整其电动汽车战略,而被砍掉的车型不止 F-150 Lightning,备受期待的 T3 皮卡也已从公司未来规划中剔除。 据《华尔街日报》报道,福特将不再继续推进大型纯电动汽车项目,转而聚焦于混合动力车型和“增程式电动汽车”(即配备车载汽油发动机以延长续航里程的电动汽车)。 该公司在一份声明中表示:“由于市场需求低于预期、成本高昂以及监管🍿政策变化,部分大型电动汽车项目的商业前景已恶化,福特不再计划生产这些车型。 ” 尽管这一决定令人遗憾,尤其是考虑到 F-150 Lightning 曾是一款出色的电动皮卡,但福特终究是一家以盈利为目标的企业。 自 2023 年以来,福特在电动汽车🕧业务上已累计亏损 130 亿美元(IT之家注:现汇率约合 917.26 亿元人民币)。 公司高管清楚地意识到,他们已给予该业务充分的发展时间。 福特总裁安德鲁・弗里克(Andre🚯w Frick)表示:“与其继续投入数十亿美元开😑发已无盈利路径的大型电动汽车,不如将资金重新配置到回报更高的领域,包括更多皮卡和厢式货车的混合动力版本、增程式电动汽车、价格更亲民的电动汽车,以及储能等全新业务机会。 ” 福特首席执行官吉姆・法利(Jim Farley)也对这一决策作出回应:“既然明知这些大型电动汽车未来无法盈利,我们就不应再盲目投入巨资,而是果断转向。 ” 法利还指出,公司如今对美国市场已有更深入的理解,“在电动化‘第二局’比赛中,我们拥有了更大的确💮定🐕性。 ”

IT之家 12 月 16 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(12 月 15 日)发布博文,报道称苹果正在深化其“垂直整合”战略,不仅在消费电子端发力, 更将触角伸向了核心算力基础设施,加速研发代号为“Baltra”的首款自研 AI 服务器芯片。 消息称苹果已启动该自研项目,并选择博通(Broadcom)作为关键合作伙伴,负责攻克核心网络传输技术,预计要等到 2027 年才能正式投入使用,被视为苹果摆脱对英伟达芯片依赖的关键一步。 IT之家😑援引博文介绍,“Baltra”芯片在设计理念上并未盲目追求全能,而是精准锁定了“AI 推理”(Inference)这一细分赛道。 苹果目前并不打算亲自下场训练超大规模 AI 模型,而是选择以每年 10 亿美元的代价,租用谷歌拥有 🏺3 万亿参数的定制版 Gemini 模型来驱动云端“Apple Intelligence”服务。 因此,苹果的自研芯片无需应对模型训练所需的庞大算力消耗,而是将全部性能用于“执行”,即利用已有模型快速处理用户指令,例如根🤙据提示词撰写邮件或处理 Siri 请求。 基于“推理优先🍎”的战略定位,“Baltra”💖的架构设计将与传统的训练芯片截然不同。 训练芯✡️片侧重于海量数据的吞吐与高精度计算,而推理芯片则更强调“低延🌤迟”和“高并发吞吐量”。 据分析,苹果与博通将重点优化芯片的 INT8(8 位整数)等低精度数学运算能力,这不仅能🍬大👐幅降低能耗,还能显著提升用户端的响应速度。 此外,供应链消息指出,该芯片极有可能采用台积电先进的 3nm“N3E”工艺,设计工作预计在未来 12 个月内完成。 该媒体指出,从终端设备到云端服务器,苹果正试图通过掌控每一个核心技术节点,构建起一道难以逾越的竞争壁垒。 苹果正在🤩加速扩展其自研芯片帝国,在外界熟知的 A 系列(iPhone)和 M 系列(Mac)芯片外,积极部署其它芯片,例如 5G 基带芯片 C1,以及 Wi-Fi 和蓝牙芯片 N1 等等,此外有消息称苹果针对未来的 🌒AI 眼镜,搭载 Apple Watch S 系列芯片的衍生版本。

IT之家 12 月 16 日🐽消息,科技媒体🈺 Space 于 12 月 10 日发布博文,报道称西南研究所(SwRI)科学家通过重新分析 1986 年“旅行者 2 号”飞掠天王星的旧数据, 解开了一个困扰学界近 40 年的磁层谜团。 作为唯一造访过天王😕星的人类探测器,“旅行者 2 号”于 1986 年 1 月 24 日传回了令人费解的数据。 数据显示,这颗冰巨星拥有一个极其怪异的磁层:其磁场中心偏离行星核心,且与自转轴呈 59 度倾角。 1986 年,旅行者 2 号飞掠天王星时,看到的天王星是一个几乎没有特征的灰绿色球体。 图源:美国宇航😀局 更反常的是,当时探测到的磁层内几乎没有等离子体(电离气体),却充满了极高密度的电子辐射带。 这种“空荡却高能”的矛盾状态,在此后近 40 年里一直被误认为是天王星的固有特征。 图源:Pixabay 西南研究所(SwRI)的罗伯特・艾伦(Robert Allen)团队利用现代技术重新审视了这些旧数据,并得出了颠覆性结论,认为当年“旅行者 2 号”👨观测到的并非天王星的常态,👊而是一个极低概率的巧合。 研究指出,“旅行者 2 号”飞掠时,天王星恰好遭遇了一种被称为“共旋转相💖互作用区(CIR)”的太阳风结构。 这🙀是一种源自太阳的高速粒子流激波,它在探测器抵达前夕剧烈压缩了天王星磁层,将原本存在的等离子体“挤”出了系统,导致探测器读数显示等离子体〽️缺失。 研究团队为了验证这一假设,采用了比较行星学的方法,将目光投向了地球。 2019 年,地球曾经历过一次类似的强太阳风暴事件。 旅行者 2 号飞掠天王星时,示意图展示一个共旋相互作用区是如何激发天王星辐射带并压缩其磁层的,图源:美国宇航局 SwRI 的首席科学家 Robert C. 💗Allen 博士指出,通过对比地球在类似条件下的反应,团队发现太阳风与磁层的相互作用会产生剧烈的高频波。 在特定条件下,这些波不仅不会驱散电子,反而会💪将其加速至接近光速,从而在短时间内⛅️形成高能辐射带。 天王星当时很可能发生了同样的物理过程:太阳风激波不仅排空了等离子体,还为电子带注入了额外能量,从而制造了“异常活跃”的假象。 西南研究院(SwRI)的科学家们将 2019 年地球上发生的强烈太阳风暴(第二幅图)所引发的快速太阳风结构(第一幅图)的空间天气影响,与 1986 年旅行者 2 号探测器在天王星观测到的情况(第三幅图)进行了比较,以期解开困扰人们 39 年的关于极端辐射带的谜🐋团。 “合唱波”是一种电磁辐射,它可能会加速电子,而这种辐射可能正是由太阳风暴产生的。 图源:西南研究院 这一发现意味着,科学家过去 40 年对天王星磁层的认知可能基⚠️于一个“特例”时刻,🍁而非其常态。 艾伦强调,如果在非太阳风暴期间观测,天王🐉星的磁层可能看起来完全不同,甚至更接近其他行星的标准模型。 这一结论推翻了“天王星磁层总是怪异”的旧有假设,不仅对理解海王星(同样拥有倾斜磁层)具有重要参考价值,更为 NASA 将天王星探测列为优先任务提供了无可辩驳的科学理由。 IT之家附上参考地址 Solving the Mystery of the Electron Radiation Belt at Uranus: Leveraging Knowle🦄dge of Earth's Radiation Belts in a Re-Examination of Voyager 2 Observations

IT之家 12 月 16 日消息,华硕现已推出 ROG 龙王四代 (RYUO IV) 360 ARGB 水冷散热器。 相较于此前已推出的 SLC“颜✡️值版”, 新的“标准版”延续了曲面屏冷头元素但水冷管接口布局回归常规 。 ROG 龙王四代 360 ARGB 搭载 磁吸式 6.67 英寸曲面 AMOLED 显示模块 ,拥有 2K 分辨率 1:2.5 宽长比 394PPI 像素密度,亮度 500nits、刷新率 60Hz,内置存储,外部覆盖防眩光图层,支持 3D 视效内容显示。 该水冷新品采用 高性能 Asetek 定制水泵 方案,铜质底板针对新处理器的热点特性进行🐈调整优化,配有 400mm 长度套管式橡胶水冷管和 30mm 加厚铝制冷排 。 这款 AIO 的预装风扇为 12025 尺寸的 ROG RYUO IV MF-12C ARGB。 此风扇 上下包含灯效单元 ,各扇体间采用一线通式菊花链串接,参数为最大风量 56.66 CFM、最大静压 3.56 mmAq、最大噪声 30.7 dB(A) 质保方面,ROG 龙王四代 360 ARGB 水冷散热器本体享受 6 年保修和 6 年漏液包赔,屏幕模块保修时长则是 2 年。 华硕 ROG 龙王四代 360 ARGB(标准版)处理器一体式水冷散热器的售价为 🤮黑色版 2499 元 、 白色版 2599 元 。 京东 华硕 ROG 龙王四代 360 ARGB 水冷 2499 元 直达链接


IT之家 12 月 16🥑 日消息,英特尔代工官方当地时间昨日宣布,其已同 ASML 实现了首台“二代”High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5200B 的“验收测试”。 相较主要用于工艺前期研发的“一代”机型 EXE:5000,EXE:5200B 身上的“量产用设备”味道更浓:其配备了更高功率 / 剂量的 EUV 光源, 晶圆吞吐量提升到每小时 175 块; 套刻精🅾️度提升至 0.7nm ; 此外通过🈚️新的晶圆存储结构 🐜提升了整体效果的稳定性 。 英特尔代工还在同一篇博客中提到,在 2025 IEEE IEDM 上,其与 imec 合作展示了对 2DFET 材料氧化物帽层的选择性凹陷刻蚀以及在 12 英寸试生产线中制造的具有大马士革型顶接触的晶体管。

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