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IT之家 12 月 16 日消息,福特汽车公司宣布取消全电动 F-150 Lightning 车型,并将计提 195 亿美元的资产减记,以加速重组其电动化战略。 这一决定对这家底特律车企而言是一次重大打击,该公司曾是推动向电动汽车转型最为🏹积极的企业之一。 此次🙌公告并非毫无征兆🍼。 此前已有诸多迹象表明,福特在电动汽车业务上持续🍆亏损。 尽管 F-150 Lightning 在市场中取得了显著成功,但公司现已决定将资源转向其他更具盈利潜力的领域。 福特将全面调整其电动汽车战略,而被砍掉的车型不止 F-150 Lightning,备受期待的 T3 皮卡也已从公司未来规划中剔除。 据《华尔街日报》报道,福特将不再继续推进大型纯电动汽车项目,转而聚焦于混合动力车型和“增程式电动汽车”(即配备车载汽油发动机以延长续航里程的电动汽车)。 该公司在一份声明中表示:“由于市场需求低于预期、成本高昂以及监管🍿政策变化,部分大型电动汽车项目的商业前景已恶化,福特不再计划生产这些车型。 ” 尽管这一决定令人遗憾,尤其是考虑到 F-150 Lightning 曾是一款出色的电动皮卡,但福特终究是一家以盈利为目标的企业。 自 2023 年以来,福特在电动汽车🕧业务上已累计亏损 130 亿美元(IT之家注:现汇率约合 917.26 亿元人民币)。 公司高管清楚地意识到,他们已给予该业务充分的发展时间。 福特总裁安德鲁・弗里克(Andre🚯w Frick)表示:“与其继续投入数十亿美元开😑发已无盈利路径的大型电动汽车,不如将资金重新配置到回报更高的领域,包括更多皮卡和厢式货车的混合动力版本、增程式电动汽车、价格更亲民的电动汽车,以及储能等全新业务机会。 ” 福特首席执行官吉姆・法利(Jim Farley)也对这一决策作出回应:“既然明知这些大型电动汽车未来无法盈利,我们就不应再盲目投入巨资,而是果断转向。 ” 法利还指出,公司如今对美国市场已有更深入的理解,“在电动化‘第二局’比赛中,我们拥有了更大的确💮定🐕性。 ”

IT之家 12 月 16 日消息,GOG 商城是一个专注于优秀老游戏 ( G ood O ld G ames) 的游戏平台,该平台最近宣布推出 G♐️🥡OG Patrons 可选赞助计划。 GOG 官方表示,其持续 17 年的修复经典 PC 游戏、解🐊决兼容性问题😗、维护无 DRM 版本工作正面临日益严峻的多方位挑战。 而 GOG Patrons 的诞生可让所有希望支持其工作的玩家🔅提供助力。 GOG Patrons 并非类似 🐦XGP 的游戏订阅服务 ,也 不会对 GOG 平⭕️台的运作方式和游戏体验带来任何变化 。 GOG Patrons 参与者可从中得到的回报包括对包含独家内容的 Discord 频道的访问权限、昵称展示在 GOG 游戏保存计划页面、拥有专属个人资料徽章。

IT之家 12 月 16 日消息,12 月 12 日,国家市场监督管理总局发布《汽车行业价格行为合规指南(征求意见稿)》(以下简称《指南》),主要包括细化汽车生产企业价格行为规范、明确汽车销售企业价格行为要求、引导建立健全内部合规管理制度等,对守护消费者权益、筑牢产业健康根基具有里程碑意义。 对此,中国一汽发文称,将全面贯彻《指南》精神,始终将依法合规经营视为企业生存与发展的根本基石,并以《指南》为重要指引,持续完善内部价格管理与合规体系, 恪守公平竞争原则,坚决杜🕣绝任何形式的不正当价格竞争行为。 IT之家注意到,中国一汽还称,将发挥央企示范引领作用,积极承担社会责任,将合规要求融入全链条协同,驱动产业健康价值循环,与行业同仁一道,共建良性竞争、透明有序、协作共赢的产业生态,为建设汽车强国贡献一汽力量。

IT之家 12 月 16 日消息,MINISFORUM 铭凡近日推出了 EOP4A 扩展卡,这款 PCIe AIC 可将机内的 PCIe 4.0×4 插槽转换为同等带宽的机外 OCuLink 4i 接口 。 这款扩展卡长 80mm、高 40mm、单槽🐋厚度,随附半高和全高挡板。 其 内置 PCIe Redriver 重驱动器芯片 ,以确保高速信号传输稳定。 IT之家注意到,铭凡近来推出了一系列内置 PCIe 插槽🥧的迷你主机 / 工作站产品,不过其提供的通常都是半高插槽。 如果用户想扩展全高 AIC,借助 EOP4A 和 OCuLink 扩展坞是可行选项之一。


IT之家 12 月 16🥑 日消息,英特尔代工官方当地时间昨日宣布,其已同 ASML 实现了首台“二代”High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5200B 的“验收测试”。 相较主要用于工艺前期研发的“一代”机型 EXE:5000,EXE:5200B 身上的“量产用设备”味道更浓:其配备了更高功率 / 剂量的 EUV 光源, 晶圆吞吐量提升到每小时 175 块; 套刻精🅾️度提升至 0.7nm ; 此外通过🈚️新的晶圆存储结构 🐜提升了整体效果的稳定性 。 英特尔代工还在同一篇博客中提到,在 2025 IEEE IEDM 上,其与 imec 合作展示了对 2DFET 材料氧化物帽层的选择性凹陷刻蚀以及在 12 英寸试生产线中制造的具有大马士革型顶接触的晶体管。

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